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公司动态

三星DRAM将扩产 终结内存涨价缺货潮?

根据TrendForce 旗下记忆体储存研究(DRAMeXchange)表示,三星传出在考虑提高竞争者进入门槛下,可能扩大DRAM产能,SK海力士和美光有望跟进扩产,此举恐将改变DRAM供给紧俏格局。

由于DRAM 厂近两年来产能扩张幅度有限,加上制程转换的难度,DRAM 供给成长明显较往年放缓,配合下半年终端市场消费旺季,DRAM 合约价自去年中开启涨价序幕。近期DRAM价格持续大涨已让许多厂商吃不消,陆续调涨产品价格,消费者也抱怨连连。

但根据TrendForce 旗下记忆体储存研究(DRAMeXchange)表示,三星传出在考虑提高竞争者进入门槛下,可能扩大DRAM产能,SK海力士和美光有望跟进扩产,此举恐将改变DRAM供给紧俏格局。

三星将在平泽厂增设DRAM产线

传三星电子(Samsung Electronics)正在考虑于平泽半导体厂二楼,移入DRAM生产设备。

韩媒朝鲜日报引述业界消息指出,三星新完工的平泽半导体厂一楼,目前已开始生产3D NAND Flash,至于工厂二楼,传三星正考虑移入DRAM生产设备,展开DRAM扩产,如以晶圆投片量为基准,平均月产能可能高达10万~12万片左右。

稍早2017年5月,三星决定在华城17产线,进行高达3兆韩元(约合27亿美元)的DRAM产线增设投资,这项计划目前正在进行中。三星计划利用华城17产线剩余空间,移入DRAM生产设备进行扩产,平均月产能约3万片左右。

DRAMeXchange也指出,三星有意将其平泽厂二楼原定兴建NAND的产线,部分转往生产DRAM,并全数采用18nm制程,加上原有Line17还有部分空间可以扩产。预计三星此举最多将2018年DRAM产出量提升80-100K,也代表三星的DRAM产能可能由2017年底的390K一口气逼近至500K的水平,亦将带动三星明年位元产出供给量由原本预估的18%成长上升至23%。

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  明年DRAM供需缺口或被弥平

  DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出,以主流标准型记忆体模组(DDR44GB)合约价为例,从去年中开始起涨,由当时的DDR44GB13美元均价拉升至今年第4季合约价30.5美元,报价连续6个季度向上,合计涨幅超过130%,带动相关DRAM大厂获利能力大幅提升。

  截至目前为止,三星第2季度DRAM事业营业利益率来到59%,SK海力士也有54%的表现,美光达44%。展望第4季,DRAM合约价持续上涨,各家厂商的获利能力可望继续攀升。

  正因DRAM产业已进入寡占格局,理论上厂商对于高获利的运作模式是乐观其成,过去一段时间以来,三星对扩产DRAM这件事,态度其实相当保守。

  然而,在连续数季内存价格上升的带动下,SK海力士、美光皆累积许多在手现金。

  有了丰沛的资源,SK海力士将在年底进行18nm制程转进,无锡二厂也将在明年兴建,预计2019年产出;美光借着股价水涨船高之际宣布现金增资,代表未来在盖新厂、扩张产能与制程升级上预做准备,此举无疑激起三星的警戒心,使得三星开始思索DRAM扩产计划。

  三星可能采取的扩产动作,除了是应对供给吃紧状况,最重要的是借助提高DRAM产出量,压抑内存价格上涨幅度。

  虽然短期内的高资本支出将带来折旧费用的提升,并导致获利能力下滑,但三星着眼的是长期的产业布局与保有其在DRAM市场的领先地位,以及与其他DRAM大厂维持1-2年以上的技术差距。

  此外,明年堪称中国内存发展的元年,三星透过压低DRAM或是NAND的价格,将能提升中国竞争者的进入门槛,并使竞争对手亏损扩大、增加发展难度并减缓其开发速度。

  韩国业界人士进一步指出,如果未来三星真的于平泽厂大举扩产DRAM,那么SK海力士、美光等竞争对手,最后也只能跟着三星脚步投入扩产。

  DRAMeXchange表示,从整体DRAM供给来看,2018年供给年成长率将来到22.5%,高于今年的19.5%,亦即明年DRAM供需缺口将可能被弥平,预期SK海力士与美光将加入军备竞赛以巩固市占可能性高,为DRAM市场增添新的变量。

  然而,DRAMeXchange认为,三星此举将可能改变DRAM市场供给紧俏格局,只是修正目前竞争对手的超额利润,降为较合理获利结构;再者,随着大厂将部分投资重心由NANDFlash转往DRAM,将可望降低明年NANDFlash供过于求的情形,并进而减缓整体NANDFlash平均售价(averagesellingprice)下滑的速度。

  三星扩厂或许对2018年DRAM市场将带来部分冲击,但就整体内存产业的长期发展来看未必是负面消息。


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